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申请/专利权人：中国科学院物理研究所
摘要：本发明提供一种异质结结构，包括：锗衬底；锗缓冲层，位于锗衬底上方；以及单晶铝层，位于锗缓冲层上方。本发明还提供了一种制备异质结结构的方法，包括：在分子束外延腔中对锗衬底进行原位热处理；在进行原位热处理后的锗衬底上生长锗缓冲层并进行原位退火；以及在锗缓冲层表面外延生长单晶铝层。还提供异质结结构在拓扑量子计算及其器件制备中的应用。该异质结结构具有原子级别平整的铝‑锗界面，能提供纯净超导带隙，表面平整厚度均一，最大程度保证本征物性在不同器件上的一致性，适合大面积集成。该异质结结构的制备方法同时适用于在二维锗自由空穴气体系及面内锗纳米线制备高质量的铝‑锗异质结。
主权项：1.一种制备异质结结构的方法，包括：在分子束外延腔中对锗衬底进行原位热处理；在进行所述原位热处理后的所述锗衬底上生长锗缓冲层并进行原位退火；以及在所述锗缓冲层表面外延生长单晶铝层，其中，所述在分子束外延腔中对锗衬底进行原位热处理包括：将所述锗衬底升温至350℃退火20分钟，然后升温至600℃退火10分钟，所述在进行所述原位热处理后的所述锗衬底上生长锗缓冲层并进行原位退火包括：采用分子束外延生长技术，在200至350℃的温度范围内所选定的生长温度下，在所述锗衬底上外延生长所述锗缓冲层，然后升温至在350至550℃的温度范围内所选定的退火温度，在所述退火温度下退火15分钟，其中所述退火温度高于所述生长温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院物理研究所 一种异质结结构及其制备方法和应用
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