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申请/专利权人：北京特思迪半导体设备有限公司
摘要：本发明提供一种位移传感器结构参数调整方法、液体环境控制方法及设备。应用于半导体加工领域。该方法包括获取所需浸没高度，所需浸没高度是指在测量扁平件减薄厚度的过程中，光谱共焦位移传感器的测量端持续浸没在扁平件表面的液体环境中，扁平件表面的液体层的厚度；判断所需浸没高度是否超过最大液体膜高度H，若所需浸没高度高于最大液体膜高度H，则增加双平面均匀透光介质的厚度d和或最外层透镜与双平面均匀透光介质的间距l，并计算浸没高度变量，根据浸没高度变量更新所需浸没高度，直至所需浸没高度不超过最大液体膜高度H。本发明实现了浸没环境下传感器的准确性测量。
主权项：1.一种光谱共焦位移传感器的结构参数调整方法，其特征在于，包括：获取所需浸没高度，所需浸没高度是指在测量扁平件减薄厚度的过程中，光谱共焦位移传感器的测量端持续浸没在扁平件表面的液体环境中，扁平件表面的液体层的厚度，所述光谱共焦位移传感器上套设密封件，以使所述光谱共焦位移传感器的最外层透镜封装在所述密封件中以隔离液体，所述密封件在所述光谱共焦位移传感器的光路上设置为双平面均匀透光介质；判断所需浸没高度是否超过最大液体膜高度H，若所述所需浸没高度高于所述最大液体膜高度H，则增加所述双平面均匀透光介质的厚度d和或所述最外层透镜与双平面均匀透光介质的间距l，得到双平面均匀透光介质的厚度变量dd和或最外层透镜与双平面均匀透光介质的间距变量dl，并根据所述厚度变量dd和或所述间距变量dl计算浸没高度变量，根据所述浸没高度变量更新所述所需浸没高度，直至所需浸没高度不超过最大液体膜高度H。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京特思迪半导体设备有限公司 位移传感器结构参数调整方法、液体环境控制方法及设备
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