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一种谐振型高频微纳能量选择表面 

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申请/专利权人:中国人民解放军国防科技大学

摘要:本发明涉及一种谐振型高频微纳能量选择表面,包括:基板,第一电磁响应结构和第二电磁响应结构;第一电磁响应结构包括:呈矩形阵列且相互连接的多个响应组件;响应组件包括:第一金属件、中间金属件、第二金属件、第一二极管和第二二极管;中间金属件具有第一延伸端和第二延伸端,第一延伸端和第二延伸端相互垂直的设置;第一金属件与第一延伸端具有间隔的相对设置,且第一二极管的正极与第一延伸端相连接,其负极与第一金属件相连接;第二金属件与第二延伸端具有间隔的相对设置,且第二二极管的正极与第二延伸端相连接,其负极与第二金属件相连接;中间金属件为轴对称结构,第一金属件和第二金属件在中间金属件的对称轴的两侧对称分布。

主权项:1.一种谐振型高频微纳能量选择表面,其特征在于,包括:基板1,在所述基板1相对两侧分别设置的第一电磁响应结构2和第二电磁响应结构3;所述第一电磁响应结构2包括:呈矩形阵列且相互连接的多个响应组件21;所述响应组件21包括:第一金属件211、中间金属件212、第二金属件213、第一二极管214和第二二极管215;所述中间金属件212具有第一延伸端和第二延伸端,所述第一延伸端和所述第二延伸端相互垂直的设置;所述第一金属件211与所述第一延伸端具有间隔的相对设置,且所述第一二极管214的正极与所述第一延伸端相连接,其负极与所述第一金属件211相连接;所述第二金属件213与所述第二延伸端具有间隔的相对设置,且所述第二二极管215的正极与所述第二延伸端相连接,其负极与所述第二金属件213相连接;所述中间金属件212为轴对称结构,所述第一金属件211和所述第二金属件213在所述中间金属件212的对称轴的两侧对称分布。

全文数据:

权利要求:

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