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申请/专利权人：北京首量科技股份有限公司
摘要：本发明提出一种基于坩埚下降法的晶体自动控制方法及其系统，通过时间参数调控温度与运动联动，实现温度达到设定目标温度后，运动系统会接收到联动模块发送的信号，并且坩埚会根据参数设定自动下降，整个晶体生长过程，除原料进炉和晶体生长结束出炉外，无需人为控制。
主权项：1.一种基于坩埚下降法的晶体自动控制方法，其特征在于，包括：步骤1，将晶体生长的原料放入坩埚中，并将坩埚位置调整至原始位置；步骤2，检查确认单晶炉电极、籽晶杆、炉体、底盘和扩散泵的通水点的进水阀门和出水阀门均处于打开状态；手动将机械泵和腔体打开，抽真空，待腔体真空＜10Pa，开启自动程序；步骤3，设置晶体生长工艺参数，包括：运行时间、目标温度和坩埚运动的晶体生长工艺数据；步骤4，根据晶体生长工艺参数控制程序的自动运行；步骤5，实时收集晶体生长过程中的数据；步骤6，待炉体内温度降至室温，将晶体取出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京首量科技股份有限公司 基于坩埚下降法的晶体自动控制方法及其系统
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