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申请/专利权人：嘉兴学院
摘要：本发明公开了一种金属有机框架结构的气体吸附隧穿磁阻传感器，属于半导体技术领域，本发明的传感器的为气体传感器，器件结构从左至右由左电极、中心散射区和右电极组成。在该气体传感器种，单层MBHT由左电极延伸至右电极，左右电极间施加水平电场，通过不同气体吸附在MBHT表面产生的隧穿磁阻响应达到气体传感的目的，在此基础上，利用光吸收谱测量不同气体分子吸附前后MBHT光吸收峰的波长和强度的改变，通过光吸收能峰响应辅助提高MBHT对气体吸附的传感能力。本发明极大地提高MOF材料气体传感器的传感性能，并将促进MOF材料在气体传感器领域的广泛应用。
主权项：1.一种金属有机框架结构的气体吸附隧穿磁阻传感器，其特征在于，所述的传感器为气体传感器，包括单层MBHT4，所述的单层MBHT4沿水平电场方向两端分别向左延伸形成左电极区1，向右延伸形成右电极区2，左电极区1，右电极区2之间为中心散射区5；所述的气体传感器的气敏元件为整个单层MBHT4的表面，单层MBHT4是由金属离子和BHT配位形成的单层MBHT纳米片，单层MBHT4为二维MOF材料，其金属离子作为活性位点可以吸附不同种类气体分子，成为气体吸附传感器的制备材料，在右电极区2，左电极区1之间施加水平电场，通过不同的气体分子吸附在单层MBHT4表面产生的隧穿磁阻响应进行气体传感，利用光吸收谱测量不同气体分子吸附前后单层MBHT4光吸收峰的波长和强度的改变，通过光吸收能峰响应辅助提高单层MBHT4对气体吸附的传感能力；所述的气体传感器的气敏元件为整个单层MBHT4的表面；气体传感器中能稳定吸附气体分子的MOF材料MBHT，其中单层MBHT4的金属离子M为锰、铁、钴、镍、铜、锌中的任一种，有机配体为六巯基苯BHT，金属离子种类不同，单层MBHT4的电学性质在半导体性质、半金属性质和金属性质之间改变，光吸收能力在可见光区由锰至锌逐渐增强。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 嘉兴学院 一种金属有机框架结构的气体吸附隧穿磁阻传感器
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