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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开了一种具有自偏栅结构的互补型隧穿晶体管及其制备方法。具有一衬底，在上述衬底上具有半导体层、自偏栅介质层以及其上的一主栅结构；自偏栅介质层在左右方向分别水平延伸出主栅结构一个水平延伸部，在水平延伸部具有一高功函数金属层和一低功函数金属层分别构成隧穿晶体管的源极和漏极。本发明将自偏栅与源漏电极直接电学连接起来，自偏栅与源漏电极保持等电势，从而在自偏栅区域引入了静电自掺杂效应。
主权项：1.一种互补型隧穿晶体管，其特征在于：具有一衬底（101），在所述衬底（101）上具有半导体层（102）、自偏栅介质层（103）及其上的一主栅结构；所述自偏栅介质层（103）的宽度大于所述主栅结构的宽度，在所述主栅结构两侧分别具有水平延伸部，所述水平延伸部与半导体层（102）接触；在所述主栅结构一侧的所述水平延伸部上具有一高功函数金属层（108），所述高功函数金属层（108）覆盖所述水平延伸部和部分所述半导体层（102），与所述自偏栅介质层（103）形成p型接触构成所述互补型隧穿晶体管的源极；在所述主栅结构另一侧的所述水平延伸部上具有一低功函数金属层（111），所述低功函数金属层（111）覆盖所述水平延伸部和部分所述半导体层（102），与所述自偏栅介质层（103）形成n型接触构成所述互补型隧穿晶体管的漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种具有自偏栅结构的互补型隧穿晶体管及其制备方法
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