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申请/专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
摘要：本申请公开了HEMT器件以及HEMT器件的制备方法，涉及HEMT器件技术领域。HEMT器件包括依次层叠的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层；HEMT器件形成有源极开槽和漏极开槽，源极开槽和漏极开槽均向下延伸至势垒层的上表面之下；源极开槽内设置有源极金属，漏极开槽内设置有漏极金属；其中，源极金属的底部与源极开槽的底部欧姆接触，漏极金属的底部与漏极开槽的底部欧姆接触；源极金属的侧壁与源极开槽的侧壁绝缘隔开，和或漏极金属的侧壁与漏极开槽的侧壁绝缘隔开。本申请技术方案能提高HEMT器件的线性度。
主权项：1.一种HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件包括依次层叠的衬底（11）、缓冲层（12）、沟道层（13）和势垒层（14）；所述HEMT器件形成有源极开槽（15）和漏极开槽（16），所述源极开槽（15）和所述漏极开槽（16）均向下延伸至所述势垒层（14）的上表面之下；所述源极开槽（15）内设置有源极金属（17），所述漏极开槽（16）内设置有漏极金属（18）；其中，所述源极金属（17）的底部与所述源极开槽（15）的底部欧姆接触，所述漏极金属（18）的底部与所述漏极开槽（16）的底部欧姆接触；所述源极金属（17）的侧壁与所述源极开槽（15）的侧壁绝缘隔开，和或所述漏极金属（18）的侧壁与所述漏极开槽（16）的侧壁绝缘隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门市三安集成电路有限公司 HEMT器件以及HEMT器件的制备方法
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