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申请/专利权人：格科微电子(上海)有限公司
摘要：本发明提供一种图像传感器形成方法，包括：半导体器件的栅极形成之前，根据第一光刻图形，形成第一掩膜层，刻蚀半导体衬底形成阵列排布的半导体岛状结构，且至少部分所述半导体岛状结构上部之间通过至少一处悬梁连接结构相互连接；在后续工艺中，采用所述第一掩膜层自对准地进行刻蚀，于所述悬梁连接结构处形成立体结构功能晶体管。本发明可以通过自对准的方案形成立体结构功能晶体管，从而避免掩膜偏移引起不对称的现象，解决套刻问题；此外，本方案中立体结构功能晶体管的尺寸可以根据性能的需求自由的调整；工艺所涉及到的功能晶体管形成光罩简单，还可以获得较高的工艺窗口。
主权项：1.一种图像传感器形成方法，其特征在于，包括：在半导体器件的栅极形成之前，根据第一光刻图形，形成第一掩膜层，刻蚀半导体衬底形成阵列排布的半导体岛状结构，且至少部分所述半导体岛状结构上部之间通过至少一处悬梁连接结构相互连接；在后续工艺中，采用所述第一掩膜层自对准地进行刻蚀，于所述悬梁连接结构处形成立体结构功能晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格科微电子(上海)有限公司 一种图像传感器形成方法、图像传感器及晶体管结构版图
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