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申请/专利权人：青岛旭芯互联科技研发有限公司;东旭科技集团有限公司
摘要：本发明公开了一种正装LED芯片及改善芯片电极粗糙的方法，在形成有金属电极结构的芯片中间体上覆盖牺牲层后，进行熔合退火处理，确保金属电极与半导体之间形成欧姆接触，然后蚀刻掉所述牺牲层。本发明在做出金属电极后增加牺牲层覆盖的工序，例如将SiO2或SiNx沉积在电极表面，再进行熔合退火，之后通过湿蚀刻的方式去除该层牺牲层。金属电极在熔合时因表面及侧壁被牺牲层包覆，因此在去除应力时金属元素无法自由的向各个方向运动，在去掉表面的牺牲层后仍可保持电极表面及侧壁有较光滑的形貌，达到降低电极表面粗糙度的目的。
主权项：1.一种改善芯片电极粗糙的方法，其特征在于，在形成有金属电极结构的芯片中间体上覆盖牺牲层后，进行熔合退火处理，确保金属电极与半导体之间形成欧姆接触，然后蚀刻掉所述牺牲层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青岛旭芯互联科技研发有限公司 东旭科技集团有限公司 正装LED芯片及改善芯片电极粗糙的方法
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