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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明公开了一种改善中高压器件可靠性的方法，将Spacer1工艺、IOR工艺和SAB工艺三张光罩版图优化，在不增加成本的前提下，能提高器件性能，改进在于利用第一隔离光罩保护高压区的栅极开槽,同时定义中压区源漏到沟道宽度，源漏到沟道宽度大于第二隔离的宽度，执行隔离刻蚀，保留高压区栅极开槽和中压取源漏靠近沟道的第一隔离；按现有技术执行后续至执行至IOR工艺时，利用IOR光罩遮盖住低压区和高压区，中压区打开，对中压区有源区氧化层进行刻蚀，利用中压区第一隔离作为硬掩模，去除源漏注入区氧化层；按现有技术执行后续至执行至SAB工艺利用SAB光罩遮挡高压区的栅极开槽。
主权项：1.一种改善中高压器件可靠性的方法，采用现有工艺制作至沉积第一隔离，其特征在于：执行光刻，利用第一隔离光罩保护高压区的栅极开槽,同时定义中压区源漏到沟道宽度，源漏到沟道宽度大于第二隔离的宽度，执行隔离刻蚀，保留高压区栅极开槽和中压取源漏靠近沟道的第一隔离，按现有技术执行后续工艺。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善中高压器件可靠性的方法
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