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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请涉及NAND阶梯着陆垫转换。存储器装置可包含可将字线与横穿所述存储器装置的材料堆叠的导电支柱耦合的一或多个横向字线触点。使用所述横向字线触点可允许导电支柱与目标字线耦合，而不需要将所述导电支柱的端部直接放置在所述字线上。另外，本文中所描述的存储器架构可允许所述目标字线经由第一导电支柱与CMOS电路系统耦合而不需要使用第二导电支柱，因为所述第一导电支柱可横穿所述材料堆叠且与所述CMOS电路系统耦合。因此，可减少导电支柱的总数量，且可降低制造错误的风险。
主权项：1.一种方法，其包括：形成包括一组层的堆叠，所述一组层包括一组氧化物层及一组氮化物层，其中所述堆叠包括一组层阶，所述一组层阶中的每一层阶包括所述一组层；移除所述一组层的一部分以形成所述一组层阶中的每一层阶，其中所述部分包括所述一组氧化物层的第一子集及所述一组氮化物层的第一子集；用碳材料掺杂所述一组层阶中的一或多个层阶中的每一者的至少一个氮化物层以形成碳掺杂层；及至少部分基于所述掺杂来形成将第一字线与导电支柱耦合的横向字线触点。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 NAND阶梯着陆垫转换
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