龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
摘要：本发明属于AlN薄膜制备技术领域，具体涉及一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法，制备方法包括下列步骤：在蓝宝石衬底上制备具有间隔分布特征的AlN薄膜；制备具有高低分布特征的AlN薄膜；对AlN薄膜进行退火；对AlN薄膜进行第一阶段生长；对AlN薄膜进行第二阶段生长。本发明通过优化磁控溅射工艺，成功制备同时具有间隔分布及高低分布特征的AlN薄膜，减少蓝宝石衬底与AlN溅射层、AlN溅射层与MOCVD生产AlN薄膜层应力集中及位错密度，在磁控溅射技术优化基础上，通过退火及MOCVD生长技术优化，进而成功制备出低应力、较低位错密度的高质量AlN薄膜。
主权项：1.一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：S1、在蓝宝石衬底上制备具有间隔分布特征的AlN薄膜，溅射具有间隔分布特征的AlN薄膜呈不连续孔状；S2、在S1的基础上，溅射具有高低分布特征的AlN薄膜，溅射产生的AlN分子优先附着在S1中AlN薄膜的籽晶表面，S1中具有间隔分布特征的AlN薄膜会进一步加剧AlN溅射沉积的不均匀性，S1中AlN薄膜的孔中不易沉积AlN，而在S1中形成的AlN薄膜表面更易积聚AlN，从而产生具有高低分布特征的AlN薄膜；S3、对S2中制备的AlN薄膜进行退火；S4、对AlN薄膜进行第一阶段生长；S5、对AlN薄膜进行第二阶段生长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号