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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明公开了一种改善卤化物钙钛矿薄膜质量的方法、薄膜及其应用，属于钙钛矿薄膜制备领域，方法包括：S1，制备卤化物钙钛矿薄膜；S2，将一种或多种吸湿盐溶于溶剂中，配置吸湿盐溶液；S3，将所述吸湿盐溶液涂覆在所述卤化物钙钛矿薄膜的表面，涂覆方式为旋涂、浸泡、刮涂、狭缝涂布、喷涂中的任一种，之后进行退火处理；S4，将退火处理后涂覆有吸湿盐的卤化物钙钛矿薄膜在设定温度、设定湿度的环境中放置设定时间，以增大钙钛矿晶粒的尺寸。通过对卤化物钙钛矿薄膜进行后处理，能够有效改善钙钛矿晶粒尺寸，提高晶粒结晶度，减少晶界，减少非辐射复合，从而提高电荷传输能力。
主权项：1.一种改善卤化物钙钛矿薄膜质量的方法，其特征在于，包括：S1，制备卤化物钙钛矿薄膜；S2，将一种或多种吸湿盐溶于溶剂中，配置吸湿盐溶液；S3，将所述吸湿盐溶液涂覆在所述卤化物钙钛矿薄膜的表面，之后进行退火处理，退火温度范围为20℃-50℃，退火时间范围为0min-10min；S4，将退火处理后涂覆有吸湿盐的卤化物钙钛矿薄膜在设定温度、设定湿度的环境中放置设定时间，以增大钙钛矿晶粒的尺寸，所述设定温度的范围为0℃-150℃，所述设定湿度的范围为10%-90%，所述设定时间的范围为0.5h-48h。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 改善卤化物钙钛矿薄膜质量的方法、薄膜及其应用
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