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申请/专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
摘要：本发明涉及一种用于真空电子源、真空像增强管及其它光电转换器件的光电阴极材料，尤其涉及一种碱锑化合物靶材及其制备方法、使用方法。解决了现有基于碱锑化合物的光电阴极靶材制备技术生产效率低下且批次间不同样品的光电性能差异大的问题。本发明一种碱锑化合物靶材，包括靶材衬底、沉积在靶材衬底表面的碱锑化合物层，碱锑化合物层的材料为单碱锑化合物、双碱锑化合物和多碱锑化合物中的任一种、两种，或三种；碱锑化合物的型态包括无定型态、单晶或多晶态；合成单碱锑化合物、双碱锑化合物和多碱锑化合物所采用的成分配比遵循化学计量比，成分配比以化学计量比为中心，偏离范围在±5％内。
主权项：1.一种碱锑化合物靶材，用于制备光电阴极器件，包括靶材衬底、沉积在靶材衬底表面的碱锑化合物层，其特征在于：碱锑化合物层的材料为单碱锑化合物、双碱锑化合物和多碱锑化合物中的任一种、两种，或三种；所述碱锑化合物的型态包括无定型态、单晶或多晶态；合成所述单碱锑化合物、双碱锑化合物和多碱锑化合物时，所采用的成分配比遵循化学计量比，成分配比以化学计量比为中心，偏离范围在±5％内。
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百度查询： 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种碱锑化合物靶材及其制备方法、使用方法
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