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申请/专利权人：聚灿光电科技股份有限公司;天津工业大学
摘要：本发明公开了一种GaN基自发白光LED外延薄膜结构及其制备方法。该结构主要包括蓝宝石图形化衬底、缓冲层、uGaN层、粗化多孔层、n‑GaN层、黄光量子阱层、电子阻挡层以及p型层。其中，粗化多孔层由交替生长的InGaN层和GaN层组成，通过特定的温度和H2蚀刻处理形成多孔结构，实现了蓝色发光。黄光量子阱层则负责黄色波段的发光。本发明无需荧光粉即可实现自发白光，简化了生产工艺，降低了成本，并提高了光源的稳定性和可控性。此技术可广泛应用于照明、显示及背光等领域，具有显著的市场潜力和实用价值。
主权项：1.一种GaN基自发白光LED外延薄膜结构，其特征在于，包括：蓝宝石图形化衬底；依次生长在蓝宝石图形化衬底上的AlN与GaN组合的Buffer层；生长在Buffer层上的uGaN层；生长在uGaN层上的粗化多孔层，该粗化多孔层由交替生长的InGaN层和GaN层组成，InGaN层在H2蚀刻处理下形成多孔结构，GaN层作为量子垒层；生长在粗化多孔层上的n-GaN层；生长在n-GaN层上的黄光量子阱层，其发光波长在580nm~600nm之间；生长在黄光量子阱层上的电子阻挡层，其组份为AlGaN；生长在电子阻挡层上的掺杂Mg的p-GaN层和p型接触层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 聚灿光电科技股份有限公司 天津工业大学 一种GaN基自发白光LED外延薄膜结构及其制备方法
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