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申请/专利权人：江南大学
摘要：本发明公开了一种基于温和等离子体技术实现厚层碲化钼固定深度相变的方法，属于半导体器件领域。本发明通过等离子体对底部电极结构厚层碲化钼进行部分相变处理，相变后，对其进行等离子体刻蚀处理，将相变的1T′相碲化钼刻蚀，对刻蚀前后的碲化钼进行AFM测试，计算其高度差，也就得到了刻蚀掉1T′相碲化钼的层数，从而通过等离子体刻蚀的方法确定了相变的深度。本发明操作简单，可重复性强，解决了实现固定相变深度的问题，达到了调控异相界面的效果。
主权项：1.一种基于温和等离子体技术实现厚层碲化钼固定深度相变的方法，其特征在于，包括如下步骤：1将光刻胶旋涂在衬底表面并进行烘烤，在衬底表面光刻出器件结构图形，得到完成光刻工艺的衬底；2将步骤1中完成光刻工艺的衬底进行刻蚀处理，得到刻蚀后的衬底；3将步骤2中刻蚀后的衬底置蒸镀电极，去除光刻胶，得到底部电极结构；4将厚层的MoTe2材料，转移至步骤3中的底部电极结构，得到带有MoTe2底部电极结构；5将步骤4中得到的带有MoTe2底部电极结构退火，得到MoTe2器件；6将步骤5得到的MoTe2器件利用H2等离子体对MoTe2进行相变处理，根据厚层碲化钼相变的深度与相变处理时间的关系确定厚层碲化钼相变的深度，得到上层为1T′相，下层为2H相的同质异相结构的MoTe2器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江南大学 一种基于温和等离子体技术实现厚层碲化钼固定深度相变的方法
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