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申请/专利权人：深圳技术大学

摘要：本发明公开了一种p型碲硒合金半导体的制备方法，制备方法包括：将复合生长衬底置于石英管内，在石英管内气流流向的上游放置包含硒颗粒及二氧化碲粉末的沉积源，同时对沉积源及复合生长衬底进行加热，在匀速流通的混合气体下控制沉积源进行化学气相沉积反应生成p型碲硒合金半导体。本发明基于化学气相沉积法，在覆有二氧化硅氧化层的硅片衬底上生长p型碲硒合金半导体，通过控制工艺参数，可以制备得到带隙大小可调的p型碲硒合金半导体。p型碲硒合金半导体的尺寸介于数微米到十几微米之间，上述制备方法过程简单，无需价格昂贵的设备、沉积源及衬底，且能够避免生成的半导体材料中存在晶格缺陷，提高了p型碲硒合金半导体的制备质量。

主权项：1.一种p型碲硒合金半导体的制备方法，其特征在于，方法包括：将复合生长衬底置于石英管内，所述复合生长衬底为覆有二氧化硅氧化层的硅片；所述复合生长衬底位于气流流向的下游；在所述石英管内气流流向的上游依次放置硒颗粒及二氧化碲粉末作为沉积源；其中，所述硒颗粒与所述二氧化碲粉末的质量比为至1.2:1至6:1；所述硒颗粒位于所述二氧化碲粉末的上游；通过加热炉同时对所述沉积源及所述复合生长衬底进行加热；在匀速流通的混合气体下控制所述沉积源在预设温度下进行化学气相沉积反应，以生长形成p型碲硒合金半导体，氩气与氢气进行混合得到所述混合气体；所述加热炉为双温区加热炉，通过对所述双温区加热炉中两个温区的加热温度分别进行控制，通过对二氧化碲粉末沉积源进行加热以形成的温度梯度差来控制复合生长衬底的加热温度；所述复合生长衬底与二氧化碲粉末沉积源之间的间距为25cm；所述双温区加热炉的两个温区在40–50min内将所述沉积源由室温升温至预设温度，控制所述沉积源在所述预设温度下生长5–30min后，停止加热并自然降温至室温；所述硒颗粒的预设温度为280–350℃，所述二氧化碲粉末的预设温度为700–850℃，所述复合生长衬底的加热终温度为150–300℃；所述通过加热炉同时对所述沉积源及所述衬底进行加热之前，还包括：通过法兰、橡胶密封圈对石英管进行密封并与混合气体进气阀门连接；通过机械泵抽去所述石英管内的空气，所述石英管内压强低于10Pa时通入所述混合气体以使所述石英管内的压强恢复至常压；重复上述抽气-通气的步骤3–5次，以去除所述石英管内的氧和水汽。

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