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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供一种隧穿器件及制备方法，应用于半导体器件技术领域。该隧穿器件包括：衬底，衬底表面被划分为第一区域和第二区域；掺杂层，包括P型掺杂层和N型掺杂层，P型掺杂层设置于第一区域，N型掺杂层设置于第二区域；其中，P型掺杂层与N型掺杂层相连接；第一介电层，设置于P型掺杂层的表面，与P型掺杂层表面的部分区域相接触；第二介电层，设置于N型掺杂层的表面，与N型掺杂层表面的部分区域相接触；其中，第一介电层和第二介电层之间存在间隙；栅极层，分别设置于第一介电层表面以及第二介电层表面。该隧穿器件通过栅极层对PN进行调控，在反向偏压下实现负微分电阻效应的同时，有效降低器件的泄漏电流，提高隧穿器件的性能。
主权项：1.一种隧穿器件，其特征在于，包括：衬底1，所述衬底表面被划分为第一区域和第二区域；掺杂层，包括P型掺杂层2和N型掺杂层3，所述P型掺杂层2设置于所述第一区域，所述N型掺杂层3设置于所述第二区域；其中，所述P型掺杂层2与所述N型掺杂层3相连接；其中，所述P型掺杂层2的掺杂浓度为3×1019cm-3～5×1019cm-3，所述N型掺杂层3的掺杂浓度为2.5×1019cm-3～4×1019cm-3；第一介电层4，设置于所述P型掺杂层2的表面，与所述P型掺杂层2表面的部分区域相接触；第二介电层5，设置于所述N型掺杂层3的表面，与所述N型掺杂层3表面的部分区域相接触；其中，所述第一介电层4和所述第二介电层5之间存在间隙；栅极层，分别设置于所述第一介电层4表面以及所述第二介电层5表面；以及电极层，包括源极和漏极，源极位于P型掺杂层表面，与第一介电层之间存在间隙；漏极位于N型掺杂层表面，与第二介电层之间存在间隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 隧穿器件及制备方法
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