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申请/专利权人：富士电机株式会社
摘要：本发明提供一种半导体装置，其抑制阈值电压等特性的波动。所述半导体装置具备：多个沟槽部；一个以上的台面部，其被两个沟槽部夹持；上表面电极，其不包含熔点比半导体基板的材料的熔点高的金属；以及阻挡金属，其包含熔点比半导体基板的材料的熔点高的金属，所述半导体装置具备：第一区域，其在沟槽部与上表面电极之间未设置阻挡金属，并且在与未设置阻挡金属的沟槽部相接的台面部与上表面电极之间设置有阻挡金属；以及第二区域，其在沟槽部与上表面电极之间设置有阻挡金属。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，形成于具有上表面和下表面的半导体基板，所述半导体装置具有：多个沟槽部，其从所述半导体基板的所述上表面起形成到所述半导体基板的内部，并且在所述半导体基板的所述上表面沿第一方向排列而配置；一个以上的台面部，其被所述多个沟槽部中的两个沟槽部夹持；上表面电极，其设置于所述半导体基板的所述上表面的上方，并且不包含熔点比所述半导体基板的材料的熔点高的金属；以及阻挡金属，其配置于至少一个所述台面部与所述上表面电极之间，并且包含熔点比所述半导体基板的材料的熔点高的金属，所述半导体装置具备第一区域和第二区域，所述第一区域在所述沟槽部与所述上表面电极之间未设置所述阻挡金属，并具有第一台面部，所述第一台面部是与未设置所述阻挡金属的所述沟槽部相接的所述台面部，在所述第一台面部与所述上表面电极之间设置有所述阻挡金属，所述第二区域在所述沟槽部与所述上表面电极之间设置有所述阻挡金属。
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