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申请/专利权人：佳能安内华股份有限公司;国立大学法人东北大学
摘要：将作为接合对象物的基体经由形成于该基体的接合面的由氧化物构成的接合膜在大气中接合。将接合膜形成于具有成为接合面的平滑面的2个基体的各自的所述平滑面，所述接合膜是通过真空成膜而形成的、至少表面被氧化的金属或半导体的薄膜，将该接合膜暴露于具有水分的空间，使该接合膜的表面亲水化，并且以该接合膜的表面彼此接触的方式使2个所述基体在大气中重叠。由此，在接合界面产生化学结合，将2个基体在大气中接合。通过对接合的基体根据需要在例如400℃以下的温度下加热，能够提高接合强度γ。该接合法也能够应用于用于器件的三维集成化的混合接合。
主权项：1.一种化学结合法，其特征在于，包括：将接合膜形成于具有平滑面的2个基体的各自的所述平滑面的工序，所述接合膜是通过伴有所述基体上的原料原子的急冷的真空成膜而形成的、缺陷多且具有亲水性的、至少表面被氧化的金属或半导体的薄膜；将形成于2个所述基体的所述接合膜的表面暴露于具有水分的空间，使水分吸附于该接合膜的表面从而使其亲水化的工序；和以亲水化了的状态的所述接合膜的表面彼此接触的方式使2个所述基体重叠从而使其结合的工序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 佳能安内华股份有限公司 国立大学法人东北大学 化学结合法和封装型电子部件、以及电子器件的混合接合法
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