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一种高储能密度PLZT四方相反铁电陶瓷及其制备方法 

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申请/专利权人:中国科学院上海硅酸盐研究所

摘要:本发明提供了一种高储能密度PLZT四方相反铁电陶瓷及其制备方法,包括通过热压烧结制备组成为LaxCayPb1‑1.5x‑y+δZr1‑zTizO3+δ,其中0.04≤x≤0.08,0.005y0.05,0.08≤z≤0.14,0.005≤δ≤0.05,结构为四方反铁电结构。本发明的技术方案实现了高致密、高能量密度、高可靠特性的反铁电储能陶瓷。

主权项:1.一种高储能密度PLZT四方相反铁电陶瓷,其特征在于,所述陶瓷的组成为LaxCayPb1-1.5x-y+δZr1-zTizO3+δ,其中0.04≤x≤0.08,0.005y0.05,0.08≤z≤0.14,0.005≤δ≤0.05,所述陶瓷的结构为四方反铁电结构,所述陶瓷具备2~16V·μm-1正向转折电场,所述陶瓷通过热压烧结工艺制备。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高储能密度PLZT四方相反铁电陶瓷及其制备方法

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