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申请/专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
摘要：本发明涉及一种极化斯格明子铁电材料的制备方法，制备方法包括如下步骤：采用真空化学气相输运法，将摩尔比为1.3~2:1:2:6的铜源、铟源、磷源和硫源，在加热和气相传输介质条件下生长得到极化斯格明子铁电材料，其中，所述铜源的粒径为50nm~200nm。本发明的制备方法制得的极化斯格明子铁电材料具有稳定的自发形成的极化斯格明子结构，可广泛应用于存储器、逻辑运算等领域，并且，制备工艺简单，可工业化生产。
主权项：1.一种极化斯格明子铁电材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：采用真空化学气相输运法，将摩尔比为1.3~2:1:2:6的铜源、铟源、磷源和硫源，在加热和气相传输介质条件下生长得到极化斯格明子铁电材料，其中，所述铜源的粒径为50nm~200nm；进行真空化学气相输运的反应装置中包括源区和生长区，其中，所述源区的加热温度为600℃~650℃，所述生长区的加热温度为550℃~600℃。
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