龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明公开了一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法。在金属有机化学气相沉积MOCVD方法外延AlN外延层中，首先制备AlN纳米图形化结构，然后在AlN纳米图形化结构上经过三步外延，大幅降低外延层中的位错缺陷，最终可在纳米级厚度获得表面平整，内部无空隙，位错密度极低的AlN外延层。这种在纳米图形化结构上的多步外延方法，形成多种外延晶面，可以快速偏折位错缺陷的延伸方向到水平方向，不仅可以在较低的生长厚度下达到低位错缺陷密度，而且可以获得平整的表面形貌。本发明方法采用的工艺步骤与常规MOCVD晶体外延工艺相兼容，适用于与AlN相关的高质量材料制备工艺体系。
主权项：1.一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法，其特征在于其步骤包括：1在衬底上制备纳米图形化AlN层；2在纳米图形化AlN层上低温生长AlN层A层3在A层上中温生长AlN层B层；4在B层上高温生长AlN层C层；其中低温生长的温度范围为900℃～1000℃，中温生长的温度范围为1000℃～1100℃，高温生长的温度范围为1100℃～1200℃，且各阶段温差不低于50℃。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号