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申请/专利权人：上海大学;惠州硕贝德无线科技股份有限公司
摘要：本公开提供一种1‑bit双极化重构装置以及5G通讯设备。所述装置包括双极化匹波座、微带辐射组件以及单波束调相组件；微带辐射组件包括微带贴片辐射件以及微带滤波件，微带贴片辐射件包括相互连接的第一介质层以及地板层；微带滤波件包括第二介质层以及至少一个直流微带电板；单波束调相组件包括第一金属条带、第二金属条带、第一开关管以及第二开关管；至少一个直流微带电板与第一开关管的控制端以及第二开关管的控制端电连接。通过调控第一开关管以及第二开关管，以切换其导通与截止状态，使得1‑bit双极化重构装置具有相位差，便于消除产生的对称波束，有效地抑制了对称波束的产生，以实现了单波束扫描的功能。
主权项：1.一种1-bit双极化重构装置，其特征在于，包括：双极化匹波座，所述双极化匹波座用于反射平面波并形成单波束，所述双极化匹波座开设有双极化通孔；微带辐射组件，所述微带辐射组件收容于所述双极化通孔内，所述微带辐射组件包括微带贴片辐射件以及微带滤波件，所述微带贴片辐射件包括相互连接的第一介质层以及地板层，所述第一介质层以及所述地板层均与所述双极化通孔的内壁抵接；所述微带滤波件包括第二介质层以及至少一个直流微带电板，所述第二介质层位于所述地板层背离所述第一介质层的一侧，各所述直流微带电板均设置于所述第二介质层上；单波束调相组件，所述单波束调相组件包括第一金属条带、第二金属条带、第一开关管以及第二开关管，所述第一金属条带以及所述第二金属条带均设置于所述第一介质层背离所述地板层的一面，所述第一开关管与所述第一金属条带连接，用于控制电场传输垂直分量，所述第二开关管与所述第二金属条带连接，用于控制磁场传输垂直分量；其中，至少一个所述直流微带电板与所述第一开关管的控制端以及所述第二开关管的控制端电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 惠州硕贝德无线科技股份有限公司 1-bit双极化重构装置以及5G通讯设备
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