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申请/专利权人：深圳市港祥辉电子有限公司
摘要：本发明公开了一种金刚石SGT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属，所述漏极金属的上方设置有n型衬底、n型漂移层以及栅极介质，所述栅极介质内部的下方设置有屏蔽栅，所述栅极介质内部的上方设置有栅极金属；所述n型漂移层的上方还设置有n+均流层，所述n+均流层的上方设置有p+阱区，所述p+阱区的上方设置有n+源区，所述n+源区的上方设置有源极金属。通过设置较深的p+阱区和栅极金属之间的优化布局，有效防止了栅极介质的击穿，提高了栅极的可靠性；此外，通过增加p+阱区的掺杂浓度与n+均流层的设计，不仅减少了制备流程，还优化了电子的分布和流动，降低了栅电荷和导通电阻，提高了器件的整体性能和效率。
主权项：1.一种金刚石SGT器件，其特征在于，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属的上方设置有n型衬底，所述n型衬底的上方设置有n型漂移层，所述n型漂移层的上方设置有栅极介质，所述栅极介质内部的下方设置有屏蔽栅，所述栅极介质内部的上方设置有栅极金属；所述n型漂移层的上方还设置有n+均流层，所述n+均流层的上方设置有p+阱区，所述n+均流层的厚度为300nm，所述n+均流层的掺杂浓度为5×1018cm-3，所述p+阱区的底部到最顶部的厚度为600nm，所述p+阱区的底部到n+源区的底部的厚度为300nm，所述p+阱区的掺杂浓度为1×1018cm-3~5×1018cm-3；所述p+阱区的上方设置有n+源区，所述n+源区的上方设置有源极金属，所述源极金属还位于p+阱区的上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市港祥辉电子有限公司 一种金刚石SGT器件及其制备方法
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