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申请/专利权人：西北工业大学;山东煜辉电子科技有限责任公司
摘要：一种非等摩尔比A位高熵MeBi4Ti4O15压电陶瓷材料及其制备方法，得到的非等摩尔比A位高熵MeBi4Ti4O15压电陶瓷材料的化学式为CaxSr1‑x3Ba1‑x3Pb1‑x3Bi4Ti4O15，x＝0.25‑0.7。使用高熵概念设计以提高材料的电阻率，同时，高熵化设计带来的迟滞扩散效应能够在烧结过程中使材料内部传质速度减慢，从而获得更加细化的晶粒，使材料内部产生更多的晶界，晶界能够散射电子，带来的晶格畸变和迟滞扩散效应均能恶化电子的传输性能，从而提高材料的电阻率，其室温电阻率可从1011Ω·cm提升至5.52×1013Ω·cm，550℃时高温电阻率可从9×105Ω·cm提升至1.53×107Ω·cm。同时，由于高熵材料中含有的不同组元具有不同基本特性，以及它们之间的相互作用，使居里温度可从495℃提升至最高的689℃。
主权项：1.一种非等摩尔比A位高熵MeBi4Ti4O15压电陶瓷材料，其特征在于，化学组分为CaxSr1-x3Ba1-x3Pb1-x3Bi4Ti4O15，x＝0.25～0.7。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北工业大学 山东煜辉电子科技有限责任公司 非等摩尔比A位高熵MeBi4Ti4O15压电陶瓷材料及其制备方法
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