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一种SONOS列线选择电路控制信号的产生电路 

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申请/专利权人:上海华虹宏力半导体制造有限公司

摘要:本发明提供一种SONOS列线选择电路控制信号的产生电路,包括预解码电路、电平转换器、反相器、一PMOS管P0以及NMOS管NO、N1、NN2;预解码电路输入端接列地址CA,经过预解码,输出信号INS或者INSB;电平转换器与预解码电路连接,在电平转换器之前,电路采用VDDA15电源域,经过电平转换,切换到高压VPOS_R,其输出端连接PMOS管P0的栅极;PMOS管P0的漏极和NMOS管NO的漏极相连作为列线YLV,与NMOS管N1的栅极、NMOS管NN2的源极相连;NMOS管NN2的漏极接电源信号VDDA15,栅极输入信号INSNEG,信号INSNEG为信号INSB经过反相器的结果。本发明在传统列线选择电路控制信号YLV的产生电路基础上,增加一个NMOS管NN2和一个反相器,实现了在高速读时,能有效维持VPOS_R在较高的电位。

主权项:1.一种SONOS列线选择电路控制信号的产生电路,其特征在于,包括:预解码电路、电平转换器、反相器、一PMOS管P0以及NMOS管NO、N1、NN2;所述预解码电路输入端接列地址CA,经过预解码,输出信号INS或者INSB;所述电平转换器与所述预解码电路连接,在所述电平转换器之前,电路采用VDDA15电源域,经过电平转换,切换到高压VPOS_R,其输出端连接所述PMOS管P0的栅极;所述PMOS管P0的漏极和所述NMOS管NO的漏极相连作为列线YLV,与所述NMOS管N1的栅极、NN2的源极相连;所述NMOS管NN2的漏极接电源信号VDDA15,栅极输入信号INSNEG,所述信号INSNEG为所述信号INSB经过所述反相器的结果。

全文数据:

权利要求:

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