申请/专利权人：东莞市立德达光电科技有限公司

申请日：2023-11-16

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN221282123U

主分类号：H01L25/075

分类号：H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/54

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权

摘要：本实用新型提供一种高功率高光密度型LED四色支架封装结构，包括氮化铝陶瓷支架、碗杯、第一LED芯片、第二LED芯片，第三LED芯片、第四LED芯片、负极功能区、正极焊接区、陶瓷隔离带；负极功能区包括第一负极功能区、第二负极功能区、第三负极功能区、第四负极功能区，第一LED芯片对应安装在第一负极功能区上，第二LED芯片对应安装在第二负极功能区上，第三LED芯片对应安装在第三负极功能区上，第四LED芯片对应安装在第四负极功能区上；第一LED芯片、第二LED芯片，第三LED芯片、第四LED芯片处于安装状态时构成田字形状；正极焊接区包括第一正极焊线区、第二正极焊线区、第三正极焊线区、第四正极焊接区。内部空间利用率更高，芯片分布更均匀，使出光效率更高。

主权项：1.一种高功率高光密度型LED四色支架封装结构，包括氮化铝陶瓷支架23、安装在所述氮化铝陶瓷支架23上的第一LED芯片10、第二LED芯片11、第三LED芯片13、第四LED芯片12、设置在所述氮化铝陶瓷支架23上的负极功能区、设置在所述氮化铝陶瓷支架23上的正极焊接区、设置在所述氮化铝陶瓷支架23上并且将负极功能区以及正极焊接区隔离开的陶瓷隔离带24；其特征在于：所述负极功能区包括第一负极功能区14、第二负极功能区22、第三负极功能区17、第四负极功能区20，所述第一LED芯片10对应安装在所述第一负极功能区14上，所述第二LED芯片11对应安装在所述第二负极功能区22上，所述第三LED芯片13对应安装在所述第三负极功能区17上，所述第四LED芯片12对应安装在所述第四负极功能区20上；所述第一LED芯片10、第二LED芯片11，第三LED芯片13、第四LED芯片12处于安装状态时构成田字形状；所述正极焊接区包括第一正极焊线区16、第二正极焊线区21、第三正极焊线区18、第四正极焊接区19；所述氮化铝陶瓷支架23上相邻所述第一负极功能区14和所述第三负极功能区17的一侧设置有第一正极焊线区16，所述氮化铝陶瓷支架23上位于所述第三负极功能区17远离所述第一LED芯片10的一侧设置有第三正极焊线区18，所述氮化铝陶瓷支架23上相邻所述第二负极功能区22和所述第四负极功能区20的一侧设置有第二正极焊线区21，所述氮化铝陶瓷支架23上位于所述第四负极功能区20远离所述第二LED芯片11的一侧设置有第四正极焊接区19；所述第一LED芯片10通过金线与所述第一正极焊线区16键合；所述第二LED芯片11通过金线与第二正极焊线区21键合；所述第三LED芯片13通过金线与所述第三正极焊线区18键合；所述第四LED芯片12通过金线与所述第四正极焊接区19键合；所述负极功能区和所述正极焊接区上覆盖设置有白胶层25；所述氮化铝陶瓷支架23的长和宽均设置为3.5mm，高设置为0.63mm；所述负极功能区的面积加上所述正极焊接区的面积和小于所述氮化铝陶瓷支架23的面积的80％。

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