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申请/专利权人：甬矽半导体(宁波)有限公司
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN117976637B
主分类号：H01L23/488
分类号：H01L23/488;H01L21/60
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片基底、保护组合层、导电金属层、导电柱、焊接熔融层和焊接填充块，芯片基底的一侧表面设置有导电焊盘；保护组合层设置在芯片基底上；导电金属层设置在保护组合层上；导电柱设置在导电金属层上；焊接熔融层设置在导电柱上；焊接填充块设置在焊接熔融层上。相较于现有技术，本发明通过增设焊接填充块，可以在焊接时处于游离状态并填充在包覆焊球中，从而在同等焊接体积的用料下减少焊接熔融层的用料，并减少传统锡层焊接时形成的空洞现象，大幅提升到导电柱与基板之间的结合力。
主权项：1.一种凸块封装结构，其特征在于，包括：芯片基底，所述芯片基底的一侧表面设置有导电焊盘；设置在所述芯片基底上的保护组合层，所述保护组合层上形成有第一开口；设置在所述保护组合层上的导电金属层，所述导电金属层覆盖所述第一开口，并与所述导电焊盘电连接；设置在所述导电金属层上的导电柱；设置在所述导电柱上的焊接熔融层；设置在所述焊接熔融层上的焊接填充块；其中，所述焊接熔融层用于在焊接至基板的焊盘时熔化形成包覆焊球，所述焊接填充块用于在焊接时脱离所述导电柱并游离填充在所述包覆焊球中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 甬矽半导体(宁波)有限公司 凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法
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