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申请/专利权人：宁波华仪宁创智能科技有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN117976514B
主分类号：H01J49/04
分类号：H01J49/04;H01J49/06;H01J49/40;G01N27/62
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开
摘要：本发明提供了一种提高质谱性能的分析装置和方法，所述提高质谱性能的分析装置包括离子漏斗、进样锥和第一真空腔，所述离子漏斗和进样锥设置在所述第一真空腔内；所述离子漏斗的中心轴线和进样锥的中心轴线间的距离不为零，所述离子漏斗和进样锥满足：0.5·D2≤D1≤D2，0.5·D1+D2≤S1≤D1+D2，120°≤Φ1≤140°；D1是所述进样锥的锥口直径，D2是离子漏斗中靠近进样锥的电极上通孔的直径，S1是离子漏斗中靠近进样锥的电极在所述锥口中心轴线上投影与锥口间的距离，Φ1是所述进样锥的靠近离子漏斗的平面与锥面间的最小角度。本发明具有检出限低、提高质谱检测性能等优点。
主权项：1.一种提高质谱性能的分析装置，包括离子漏斗、进样锥和第一真空腔，所述离子漏斗和进样锥设置在所述第一真空腔内；其特征在于，所述离子漏斗的中心轴线和进样锥的中心轴线间的距离不为零，所述离子漏斗和进样锥满足：0.5·D2≤D1≤D2，0.5·D1+D2≤S1≤D1+D2，120°≤Φ1≤140°；D1是所述进样锥的锥口的直径，D2是离子漏斗中靠近进样锥的电极上通孔的直径，S1是离子漏斗中靠近进样锥的电极在所述锥口的中心轴线上投影与锥口间的距离，Φ1是所述进样锥的靠近离子漏斗的平面与锥面间的最小角度；0.5·D2≤L1≤0.5·D1+D2，当离子迁移率k≤2×10-4m2V·s；L1是所述离子漏斗的中心轴线和进样锥的中心轴线间的距离；0.5·D1+D2≤L1≤D1+0.5·D2，当离子迁移率k＞2×10-4m2V·s。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 宁波华仪宁创智能科技有限公司 提高质谱性能的分析装置和方法
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