申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2021-03-12

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN113014217B

主分类号：H03F3/45

分类号：H03F3/45;H03F1/42

优先权：["20201231 CN 2020233302342"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2021.07.09#实质审查的生效;2021.06.22#公开

摘要：本发明提供一种MEMS传感器驱动电路，包括：共栅极放大器；恒流源，与所述共栅极放大器的放大管的源极电连接，用于为所述共栅极放大器提供偏置电流；第一反相放大器，具有负反馈电阻，所述第一反相放大器的输入端与所述共栅极放大器的输出端电连接；输入端口，与所述共栅极放大器的放大管的源极电连接，用于接收MEMS传感器的电流信号。本发明提供的技术方案能够同时提高MEMS传感器驱动电路的带宽和增益。

主权项：1.一种MEMS传感器驱动电路，其特征在于，包括：共栅极放大器；恒流源，与所述共栅极放大器的放大管的源极电连接，用于为所述共栅极放大器提供偏置电流；第一反相放大器，具有负反馈电阻，所述第一反相放大器的输入端与所述共栅极放大器的输出端电连接；输入端口，与所述共栅极放大器的放大管的源极电连接，用于接收MEMS传感器的电流信号；隔直电容，输入端与所述第一反相放大器的输出端电连接；第二反相放大器，输入端与所述隔直电容的输出端电连接；恒压源，与所述第二反相放大器的输入端电连接；第三反相放大器，所述第三反相放大器的输入端与所述第二反相放大器的输出端电连接；其中，所述第三反相放大器包括：第二PMOS，所述第二PMOS的源极与工作电压源电连接，所述第二PMOS的栅极与所述第二反相放大器的输出端电连接；第三NMOS，所述第三NMOS的源极接地，所述第三NMOS的漏极与所述第二PMOS的漏极电连接，所述第三NMOS的栅极与所述第二反相放大器的输出端电连接；电阻串，所述电阻串的一端与所述第二反相放大器的输出端电连接，所述电阻串的另一端与所述第二PMOS的漏极和所述第三NMOS的漏极电连接；其中，所述电阻串包括串联连接的第一子电阻和第二子电阻；所述第三反相放大器还包括第三PMOS，所述第三PMOS的源极和漏极接地，所述第三PMOS的栅极与所述第一子电阻和第二子电阻的公共端电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 MEMS传感器驱动电路

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