申请/专利权人：深圳青铜剑技术有限公司

申请日：2021-07-26

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN113566997B

主分类号：G01K7/16

分类号：G01K7/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2021.11.16#实质审查的生效;2021.10.29#公开

摘要：本发明提供了一种温度感应电路，包括有偏置电流单元、启动开关单元、负温度系数产生单元、正温度系数产生单元和整合输出单元，利用正温度系数产生单元和负温度系数产生单元中的三极管的正负温度特性分别得到一路正温度特性与一路负温度特性的电流，正温度系数电流减去负温度系数电流或负温度系数电流减去正温度系数电流得到放大输出电压范围，且得到的温度系数曲线不受MOS管、电阻等工艺偏差的影响，更加精确稳定，电路简单面积小易于实现。

主权项：1.一种温度感应电路，其特征在于，所述温度感应电路包括偏置电流单元、负温度系数产生单元、正温度系数产生单元和整合输出单元；所述偏置电流单元将电流偏置给所述负温度系数产生单元和正温度系数产生单元，所述负温度系数产生单元根据偏置电流产生一路负温度系数电流，所述正温度系数产生单元根据所述偏置电流产生一路正温度系数电流，所述整合输出单元将所述正温度系数电流、所述负温度系数电流相减得到温度系数电流变化范围增加的输出电压；所述偏置电流单元包括电流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管；所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和所述第四PMOS管的源极连接于外部低压电源，所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和所述第四PMOS管的栅极连接于所述第一PMOS管的漏极并接到所述电流源一端，所述电流源另一端接地，所述第二PMOS管、第三PMOS管和所述第四PMOS管的漏极连接于后级电路；所述负温度系数产生单元包括第一三极管和第一电阻；所述第一三极管的集电极连接于所述第二PMOS管的漏极、基极连接于所述第一电阻输入端；所述正温度系数产生单元包括第二三极管、第三三极管、第四三极管和第二电阻、第三电阻；所述第二三极管的集电极、基极和所述第三三极管的基极连接于所述第三PMOS管的漏极，所述第二三极管的发射极和所述第四三极管的发射极连接于所述第二电阻的输入端，所述第三三极管的集电极连接于所述第四PMOS管的漏极，所述第三三极管的发射极连接于所述第三电阻的输入端，所述第四三极管的基极连接于所述第三三极管的集电极；所述温度感应电路还包括：启动开关单元，所述启动开关单元在输入电压高于预设电压阈值时导通；所述启动开关单元包括第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一NMOS管和第二NMOS管的栅极连接于所述第二PMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极连接于所述第一电阻的输入端，所述第二NMOS管的源极连接于所述第四三极管的集电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳青铜剑技术有限公司 一种温度感应电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD