申请/专利权人：武汉敏声新技术有限公司

申请日：2022-08-22

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN115296638B

主分类号：H03H9/02

分类号：H03H9/02;H03H9/17;H03H3/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2022.11.22#实质审查的生效;2022.11.04#公开

摘要：本申请提供一种谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，包括衬底以及依次层叠于衬底上的下电极、复合压电层和上电极，在复合压电层中设置有多个温度补偿块，多个温度补偿块位于有效工作区域，并且由于多个温度补偿块分布在垂直层叠方向的平面内，因此，能够保证对有效工作区域进行温度补偿的范围。在此基础上，多个温度补偿块相互之间采用间隔的方式分布，便能够在任意两个相邻的温度补偿块之间的区域保持正常的电学性能，从而实现在保证温度补偿范围的同时，能够显著降低单体温度补偿块对有效工作区域的连续覆盖面积，从而降低因设置温度补偿结构而对谐振器电学性能造成的影响。

主权项：1.一种谐振器制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上制作依次层叠的下电极、复合压电层和上电极，其中，所述复合压电层中设置有多个相互间隔的温度补偿块，多个所述温度补偿块在垂直于层叠方向的平面内分布且位于所述谐振器的有效工作区域；所述复合压电层包括依次层叠于所述下电极上的多层单晶压电层，多个所述温度补偿块均位于所述多层单晶压电层中的任意一层；所述多层单晶压电层至少包括层叠设置的第一单晶压电层和第二单晶压电层，所述第一单晶压电层的掺杂浓度大于所述第二单晶压电层的掺杂浓度，所述谐振器的机电耦合系数与所述第一单晶压电层的掺杂浓度正相关；或，所述多层单晶压电层至少包括层叠设置的第一单晶压电层和第二单晶压电层，所述第一单晶压电层的掺杂浓度大于所述第二单晶压电层的掺杂浓度，所述谐振器的机电耦合系数与所述第一单晶压电层和所述第二单晶压电层的厚度比值正相关，其中，多个所述温度补偿块均位于所述第二单晶压电层靠近所述第一单晶压电层的一侧；所述在所述衬底上制作依次层叠的下电极、复合压电层和上电极包括：提供临时基底；在所述临时基底上形成复合压电层；在所述复合压电层上依次沉积下电极和支撑层，得到预制器件；通过键合工艺将所述预制器件具有支撑层的一侧设置于所述衬底；去除所述临时基底以使所述复合压电层露出；在所述复合压电层上沉积上电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉敏声新技术有限公司 一种谐振器及其制备方法

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