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申请/专利权人：TDK株式会社
申请日：2022-03-08
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN115050576B
主分类号：H01G4/008
分类号：H01G4/008;H01G4/12;H01G4/232;H01G4/30
优先权：["20210308 JP 2021-036614"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.09.13#公开
摘要：陶瓷电子部件具有：元件主体，其包含将以ABO3表示的钙钛矿型化合物设为主成分的陶瓷层和内部电极层；及外部电极，其形成于元件主体的端面且与内部电极层的一部分电连接。外部电极具有烧接电极层，该烧接电极层具有：第一区域，其与元件主体的端面相接且位于与元件主体的接合边界的附近；及第二区域，其位于第一区域的外侧且构成烧接电极层的外表面。再有，在第一区域，包含至少含有B、Zn、Si的玻璃料，在第二区域，包含熔点高于Cu的氧化物。
主权项：1.一种陶瓷电子部件，其中，具有：元件主体，其包含陶瓷层和内部电极层；及外部电极，其形成于所述元件主体的端面且与所述内部电极层的至少一端电连接，在所述陶瓷层，含有以ABO3表示的钙钛矿型化合物作为主成分，所述外部电极具有烧接电极层，所述烧接电极层具有：第一区域，其与所述元件主体的所述端面相接且位于与所述元件主体的接合边界的附近；及第二区域，其位于所述第一区域的外侧且构成所述烧接电极层的外表面，在所述第一区域，包含至少含有B、Zn、Si的玻璃料，在所述第二区域，包含熔点高于Cu的氧化物，在所述元件主体的所述端面上，在与所述外部电极相接的所述陶瓷层的端部，存在边界层，在所述边界层，含有Zn、Si、及所述钙钛矿型化合物的A位点元素，在所述边界层中，当将Zn的含量、Si的含量、以及A位点元素的含量的和设为1摩尔份时，A位点元素的含量为0.3摩尔份～0.45摩尔份，Zn的含量为0.15摩尔份～0.45摩尔份，余部为Si。
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