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内存内计算单元 

申请/专利权人:财团法人工业技术研究院

申请日:2020-08-03

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN113901390B

主分类号:G06F17/16

分类号:G06F17/16;G06F7/52;G11C11/408;G11C11/4094;G11C11/4097

优先权:["20200622 TW 109121085"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.07.05#授权;2022.01.25#实质审查的生效;2022.01.07#公开

摘要:本发明提供一种内存内计算单元,其包括存储单元电路、第一半导体组件、第二半导体组件以及第三半导体组件。第一半导体组件的第一端耦接至第一运算位线。第一半导体组件的控制端耦接至运算字线。第二半导体组件的控制端耦接至存储单元电路。第二半导体组件的第一端耦接至第一半导体组件的第二端。第三半导体组件的第一端耦接至第二半导体组件的第二端。第三半导体组件的第二端耦接至第二运算位线。第三半导体组件的控制端接收偏压电压。

主权项:1.一种内存内计算单元,其特征在于,所述内存内计算单元包括:存储单元电路;第一半导体组件,具有第一端、第二端以及控制端,其中所述第一半导体组件的所述第一端耦接至第一运算位线,以及所述第一半导体组件的所述控制端耦接至第一运算字线;第二半导体组件,具有第一端、第二端以及控制端,其中所述第二半导体组件的所述控制端耦接至所述存储单元电路中的第一数据节点,以及所述第二半导体组件的所述第一端耦接至所述第一半导体组件的所述第二端;以及第三半导体组件,被配置为提供第一权重值所对应的第一权重电阻值,其中所述第三半导体组件的第一端耦接至所述第二半导体组件的所述第二端,所述第三半导体组件的第二端耦接至第二运算位线,以及所述第三半导体组件的控制端接收所述第一权重值所对应的第一偏压电压。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 财团法人工业技术研究院 内存内计算单元

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