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有机电子器件和化合物 

申请/专利权人:诺瓦尔德股份有限公司

申请日:2022-09-26

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118303147A

主分类号:H10K50/17

分类号:H10K50/17;H10K85/60

优先权:["20210927 EP 21199130.2"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明涉及一种包含电子注入层的有机电子器件以及适合在其中使用的化合物。

主权项:1.一种有机电子器件,所述有机电子器件包含至少一个电子注入层,其中所述电子注入层包含式I的化合物[L1]n-Ar1-[L2]mI,其中L1具有式2: L2具有式3: 并且Ar1具有式4: 其中-Ar2至Ar5独立地选自C6至C60芳亚基或C2至C42杂芳亚基,-其中各个Ar2至Ar5可独立地未被取代或者被一个或多个取代基取代,所述一个或多个取代基独立地选自C6至C12芳基、C3至C11杂芳基、C1至C6烷基、D、C1至C6烷氧基、C3至C6支链烷基、C3至C6环状烷基、C3至C6支链烷氧基、C3至C6环状烷氧基、部分氟化或全氟化的C1至C6烷基、部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基、部分氘化或全氘化的C1至C6烷基、部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基、卤素、CN和PYR102,其中Y选自O、S或Se,优选为O,并且R10独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C6烷基、C1至C6烷氧基、部分氟化或全氟化的C1至C6烷基、部分氟化或全氟化的C1至C6烷氧基、部分氘化或全氘化的C1至C6烷基、部分氘化或全氘化的C1至C6烷氧基;-L1和L2在“*”处经由单键独立地与相同或不同的Ar2至Ar5键合;-X1和X2独立地选自O、S和Se;-R1至R4独立地选自取代或未取代的C1至C16烷基和取代或未取代的C6至C12芳基;-其中如果R1至R4中的一个或多个被取代,则一个或多个取代基独立地选自C1至C16烷基、C6至C18芳亚基和C2至C12杂芳亚基;并且-m和n独立地选自1至5,其中n是整数。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 诺瓦尔德股份有限公司 有机电子器件和化合物

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