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申请/专利权人：星科金朋私人有限公司
申请日：2023-12-08
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299361A
主分类号：H01L23/532
分类号：H01L23/532;H01L21/768
优先权：["20230105 US 18/150567"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.07.05#公开
摘要：本公开涉及半导体器件和形成具有石墨烯涂覆的核的RDL的方法。半导体器件具有一层互连衬底和设置在互连衬底的第一表面上的电部件。电部件可以是分立电器件、IPD、半导体管芯、半导体封装、表面安装器件和RF部件。具有石墨烯核壳的RDL形成在互连衬底的第二表面上。石墨烯核壳具有铜核和形成在铜核上的石墨烯涂层。RDL还具有用于嵌入石墨烯核壳的基质。穿过RDL的石墨烯核壳形成电路径。RDL可以是热固性材料或聚合物或复合环氧树脂型基质。石墨烯核壳嵌入在热固性材料或聚合物或复合环氧树脂型基质内。具有石墨烯核壳的RDL对于SIP内的导电率和电互连是有用。
主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底；电部件，设置在所述衬底的第一表面上；和包括石墨烯核壳的导电层，形成在与所述衬底的所述第一表面相对的所述衬底的第二表面上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 星科金朋私人有限公司 半导体器件和形成具有石墨烯涂覆的核的RDL的方法
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