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申请/专利权人：华为技术有限公司
申请日：2021-12-03
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118302860A
主分类号：H01L27/04
分类号：H01L27/04;H01L29/861
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请实施例公开了一种冷源二极管、冷源二极管的制作方法及相关设备，应用于半导体技术领域。其中，一种冷源二极管，包括：衬底和PN结，该PN结包括依次层叠于衬底上的第一半导体层，第二半导体层，金属层和第三半导体层；其中，第一半导体层中有第一类的轻掺杂，第二半导体层中有第二类的重掺杂，第三半导体层中有上述第一类的重掺杂。因此，通过在第二半导体层一侧连接一层轻掺杂的第一半导体层，可以形成一个与第二半导体层和第三半导体层之间相反的内建电场，可以有效地对第二半导体层和第三半导体层内电子态密度进行调控，从而使得本申请实施例的冷源二极管电流开启和关闭的效率更高。
主权项：一种冷源二极管，其特征在于，包括：衬底和PN结，其中，所述PN结包括依次层叠于所述衬底上的第一半导体层，第二半导体层，金属层和第三半导体层；其中，所述第一半导体层中有第一类型的轻掺杂，所述第二半导体层中有第二类型的重掺杂，所述第三半导体层中有所述第一类型的重掺杂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 一种冷源二极管、冷源二极管的制作方法及相关设备
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