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申请/专利权人：深圳量旋科技有限公司
申请日：2024-04-25
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118302033A
主分类号：H10N60/01
分类号：H10N60/01;H10N60/12
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明提供了一种量子比特结构及其制作方法，涉及超导量子技术领域，采用刻蚀工艺来制作超导体，即基于掩膜对超导材料层进行刻蚀的工艺制作第一超导体和第二超导体，该基于掩膜的刻蚀工艺较为成熟，有效提高了量子比特结构的均匀性和良率。本发明提供的制作方法无需采用双角度蒸发和剥离工艺，进而无需对相关的制作设备进行特殊设计，适用于大规模量产。
主权项：1.一种量子比特结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底一侧表面上形成第一超导材料层；在所述第一超导材料层背离所述衬底一侧形成第一掩膜层；刻蚀所述第一超导材料层，形成与所述第一掩膜层对应的第一超导体；去除所述第一掩膜层；形成覆盖所述第一超导体的裸露表面的势垒层；形成覆盖所述势垒层的裸露表面的第二超导材料层；在所述第二超导材料层背离所述衬底一侧形成第二掩膜层；刻蚀所述第二超导材料层，形成与所述第二掩膜层对应的第二超导体，其中，在垂直所述衬底所在面的方向上，所述第一超导体和所述第二超导体之间具有交叠区域；去除所述第二掩膜层，形成量子比特结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳量旋科技有限公司 一种量子比特结构及其制作方法
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