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存储器装置、操作该存储器装置的方法和存储器系统 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2023-12-22

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118298882A

主分类号:G11C16/26

分类号:G11C16/26;G11C16/34;G11C16/08

优先权:["20230103 KR 10-2023-0000900"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.07.05#公开

摘要:公开了一种操作包括存储器单元阵列的存储器装置的方法、一种存储器装置和一种存储器系统。存储器单元阵列包括多个存储器单元和连接到多个存储器单元的多条字线。该方法包括:通过调整施加到与用于改善存储器单元读出特性而要被额外读取的存储器单元连接的选择的字线WLN的电压电平以及施加到多条未选择的字线WLUnselect的电压电平,对多个存储器单元执行额外的读操作;以及通过将施加到多条未选择的字线WLUnselect之中的至少一条第一字线的电压电平调整为与在额外的读操作中施加到所述至少一条第一字线的电压电平不同,对多个存储器单元执行主读操作。

主权项:1.一种操作包括存储器单元阵列的存储器装置的方法,所述存储器单元阵列包括多个存储器单元和连接到所述多个存储器单元的多条字线,所述方法包括:通过调整施加到与用于改善存储器单元读出特性而要被额外读取的存储器单元连接的选择的字线WLN的电压电平以及施加到多条未选择的字线WLUnselect的电压电平,对所述多个存储器单元执行额外的读操作;以及通过将施加到所述多条未选择的字线WLUnselect之中的至少一条第一字线的电压电平调整为与在所述额外的读操作中施加到所述至少一条第一字线的电压电平不同,对所述多个存储器单元执行主读操作。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 存储器装置、操作该存储器装置的方法和存储器系统

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