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具有激光释放层的硅分选器 

申请/专利权人:国际商业机器公司

申请日:2022-09-04

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118302848A

主分类号:H01L21/683

分类号:H01L21/683;H01L21/56;C09J5/06

优先权:["20211203 US 17/541,946"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:分选器晶片和分选晶片的方法包括定位分选器,该分选器通过包括解除接合层、光学增强层和抗反射层的接合层附接到晶片。使用激光器将分选器从晶片上解除接合,该激光器发射一定波长的激光能量,该波长的激光能量被解除接合层吸收并被光学增强层限制在解除接合层中,使得当解除接合层的材料暴露于激光能量时,该材料被烧蚀,从而释放晶片。

主权项:1.一种用于分选晶片的方法,包括:定位分选器,所述分选器通过接合层附接到晶片,所述接合层包括解除接合层、光学增强层和抗反射层;以及使用激光器使分选器与晶片解除接合,所述激光器发射一定波长的激光能量,所述波长被所述解除接合层吸收且被所述光学增强层限制到所述解除接合层,使得所述解除接合层的材料在暴露于所述激光能量时烧蚀以释放所述晶片。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 国际商业机器公司 具有激光释放层的硅分选器

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