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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2024-04-12
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299268A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L21/28;H01L21/311;H01L21/67
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请公开了一种全环绕栅极晶体管的侧墙的制作方法及半导体工艺设备，制作方法包括：提供半导体器件，其中，半导体器件包括衬底，以及形成在衬底表面的鳍形结构，鳍形结构由沟道层与牺牲层交替堆叠而成；对牺牲层进行横向刻蚀，以在鳍形结构的侧面形成凹槽；沉积绝缘层，其中，绝缘层覆盖衬底表面以及鳍形结构的整个表面，以在鳍形结构的侧面形成凹凸起伏的侧壁；对凹凸起伏的侧壁进行刻蚀，以形成平坦化侧壁；对平坦化侧壁进行刻蚀，直至暴露出沟道层的侧面。本申请制作的侧墙可以填满凹槽，厚度更厚，可以防止沟道释放时刻蚀范围向源漏区延伸，能够降低栅极与源漏区之间的寄生电容。由于绝缘层刻蚀由两步组成，工艺存在较大的调节空间。
主权项：1.一种全环绕栅极晶体管的侧墙的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体器件，其中，所述半导体器件包括衬底，以及形成在所述衬底表面的鳍形结构，所述鳍形结构由沟道层与牺牲层交替堆叠而成；对所述牺牲层进行横向刻蚀，以在所述鳍形结构的侧面形成凹槽；沉积绝缘层，其中，所述绝缘层覆盖所述衬底表面以及所述鳍形结构的整个表面，以在所述鳍形结构的侧面形成凹凸起伏的侧壁；平坦化刻蚀：对所述凹凸起伏的侧壁进行刻蚀，以形成平坦化侧壁；侧墙刻蚀：对所述平坦化侧壁进行刻蚀，直至暴露出所述沟道层的侧面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 全环绕栅极晶体管的侧墙的制作方法及半导体工艺设备
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