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申请/专利权人：第一阳光公司
申请日：2019-01-14
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299463A
主分类号：H01L31/18
分类号：H01L31/18;H01L21/385;H01L31/0296
优先权：["20180201 US 62/624846"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明涉及光伏器件中吸收层的V族掺杂方法。根据本文提供的实施方案，用于掺杂吸收层的方法可包括使吸收层与退火化合物接触。退火化合物可包含氯化镉和包含阴离子和阳离子的V族盐。阴离子、阳离子或二者可包含V族元素。方法可包括使吸收层退火，由此用退火化合物的V族元素的至少一部分掺杂吸收层。
主权项：1.一种掺杂吸收层的方法，所述方法包括：使吸收层与退火化合物接触，其中：吸收层包含镉、碲和硒；退火化合物包含：溶剂、氯化镉和包含阴离子和阳离子的V族盐；阴离子、阳离子或二者包含V族元素；退火化合物内氯化镉与V族盐的重量比大于150:1且小于6,500:1；和使吸收层退火，由此用退火化合物的V族元素的至少一部分掺杂吸收层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 第一阳光公司 光伏器件中吸收层的V族掺杂方法
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