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基于反向耦合器的微环波长选择开关器件 

申请/专利权人:桂林电子科技大学

申请日:2024-04-24

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118295073A

主分类号:G02B6/293

分类号:G02B6/293;G02B6/35

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.07.05#公开

摘要:本发明提供一种基于反向耦合器的微环波长选择开关器件,包括双边微环谐振器、输出波导、光栅微扰结构,相变材料锗锑碲和衬底,在微环上覆盖锗锑碲,在微环谐振器的下降端口处添加光栅微扰结构,在布拉格匹配条件下,将光反向耦合进输出波导;通过对锗锑碲晶体状态的改变,改变对光的吸收,以此改变微环输出的光功率,利用光栅微扰结构,在布拉格匹配条件下,实现窄带滤波,创造出透明窗口,单独滤出所需波长,解决了微环的自由光谱范围的限制,同时使用变迹技术,减少旁瓣的影响,实现低串扰,从而实现滤波开关功能。本发明提出的利用光栅微扰结构的波长选择开关器件具有小型化,适合片上集成,可在DWDM系统中的应用。

主权项:1.基于反向耦合器的微环波长选择开关器件,其特征在于,包括双边微环谐振器1、输出波导2、光栅微扰结构3、相变材料锗锑碲4、输入弯曲波导5、输出弯曲波导6和二氧化硅衬底7,在微环上覆盖一层锗锑碲材料,在微环的下降端口处添加光栅微扰结构;所述器件的微环高为hSi,宽为w1,半径为rSi,微环谐振器的双边直波导尺寸高为hSi,宽为w1;微环与双边直波导的耦合间隙为g;输入弯曲波导半径为rin;输出弯曲波导半径rout;锗锑碲材料层厚为hGST,覆盖在微环上,宽为w1;输出波导高为hSi,宽为w2;光栅微扰结构高为hSi,周期为Λ,占空比为d,周期数为N。

全文数据:

权利要求:

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