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申请/专利权人：北京工业大学
申请日：2024-04-11
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299926A
主分类号：H01S5/12
分类号：H01S5/12;H01S5/026;H01S5/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开了一种片上互注入锥形相干阵激光阵列芯片结构及制备方法，从左至右包括：设置在同一外延结构上的片上布拉格反射光栅阵列、左脊波导阵列、片上集成n*ZT2Talbot过滤腔、右脊波导阵列、泄漏槽和锥形波导阵列；左脊波导阵列、右脊波导阵列和片上布拉格反射光栅阵列垂直刻蚀至外延结构的P面波导层，锥形波导阵列垂直刻蚀至外延结构的P面限制层；片上集成n*ZT2Talbot过滤腔无需刻蚀；泄漏槽刻蚀至外延结构的N面波导层。本发明提高了基模激光输出的模式选择特性，同时实现左右两侧脊波导阵列激光光场的互注入耦合相干锁相，再逐一通过右侧锥形波导的放大作用，最终可获得高亮度、高功率基模激光光束输出。
主权项：1.一种片上互注入锥形相干阵激光阵列芯片结构，其特征在于，从左至右包括：设置在同一外延结构上的片上布拉格反射光栅阵列、左脊波导阵列、片上集成n*ZT2Talbot过滤腔、右脊波导阵列、泄漏槽和锥形波导阵列；所述外延结构包括自下而上依次设置的N面电极、N型衬底、N型限制层、N面波导层、有源区、P面波导层、P面限制层、P面欧姆接触层以及绝缘层和P面电极；其中，所述左脊波导阵列和右脊波导阵列垂直刻蚀至所述P面波导层，所述锥形波导阵列垂直刻蚀至所述P面限制层；所述片上集成n*ZT2Talbot过滤腔无需刻蚀；所述泄漏槽刻蚀至所述N面波导层；所述片上布拉格反射光栅阵列刻蚀至P面波导层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京工业大学 一种片上互注入锥形相干阵激光阵列芯片结构与制备方法
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