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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2020-07-31
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118301937A
主分类号：H10B43/10
分类号：H10B43/10;H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：公开了3D存储器件的实施例及其形成方法。在一个示例中，公开了用于形成3D存储器件的方法。在第一衬底上形成外围电路。在第二衬底上形成第一半导体层。在第一半导体层上形成支撑结构和与支撑结构共面的第二半导体层。在支撑结构和第二半导体层上方形成存储堆叠层。存储堆叠层具有与支撑结构重叠的阶梯区域。形成垂直地延伸穿过存储堆叠层和第二半导体层进入第一半导体层中的沟道结构。以面对面的方式键合第一衬底和第二衬底。
主权项：1.一种三维3D存储器件，其特征在于，包括核心阵列区域和与所述核心阵列区域相邻的阶梯区域，其中：所述核心阵列区域包括：存储堆叠层，包括沿第一方向交替堆叠的导电层和电介质层；第一半导体层，位于所述存储堆叠层在所述第一方向上的一侧；以及沟道结构，延伸穿过所述存储堆叠层和所述第一半导体层；所述阶梯区域包括：阶梯结构，其中，所述导电层的边缘和所述电介质层的边缘延伸至所述阶梯结构；支撑结构，位于所述阶梯结构在所述第一方向上的一侧，其中，所述支撑结构包括异质结构，所述异质结构包括沿所述第一方向依次堆叠设置的第一层、第二层和第三层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于形成具有用于阶梯区域的支持结构的三维存储器件的方法
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