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申请/专利权人：华中科技大学
申请日：2024-04-11
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118298896A
主分类号：G11C29/50
分类号：G11C29/50;G06F17/10
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请公开了一种相变存储器的功耗计算方法，包括如下步骤：通过初始化使相变存储器的初始阻值置于低阻态，并获得相变存储器的初始阻值；对相变存储器进行不同脉冲参数的复位操作，在每次有效复位操作结束后获取相变存储器的阻值以及对应的复位脉冲参数，并在每次有效复位操作结束后对相变存储器进行置位操作将其状态重置为低阻态；将初始阻值和每次有效复位操作结束后获取的相变存储器的阻值以及对应的复位脉冲参数，使用预先建立的功耗计算模型，计算得到相变存储器在每次有效复位操作后的功耗；功耗计算模型考虑到相变存储器熔融状态电阻值的变化，包括相变熔融过程功耗和熔融状态功耗。本申请能快速准确地计算相变存储器的功耗。
主权项：1.一种相变存储器的功耗计算方法，其特征在于，包括如下步骤：S10，通过初始化使相变存储器的初始阻值置于低阻态，并获得相变存储器的初始阻值；S20，对相变存储器进行不同脉冲参数的复位操作，在每次有效复位操作结束后获取相变存储器的阻值以及对应的复位脉冲参数，并在每次有效复位操作结束后对相变存储器进行置位操作将其状态重置为低阻态；当复位操作结束后相变存储器的阻值为所述初始阻值的10倍以上时，则认为该次复位操作为有效复位操作；S30，将初始阻值和每次有效复位操作结束后获取的相变存储器的阻值以及对应的复位脉冲参数，使用预先建立的功耗计算模型，计算得到相变存储器在每次有效复位操作后的功耗；所述功耗计算模型考虑到相变存储器熔融状态电阻值的变化，包括相变熔融过程功耗和熔融状态功耗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种相变存储器的功耗计算方法
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