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单片式模块化高频等离子体源 

申请/专利权人:应用材料公司

申请日:2020-09-15

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118299245A

主分类号:H01J37/32

分类号:H01J37/32

优先权:["20190927 US 16/586,462"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明涉及单片式模块化高频等离子体源。本文中所公开的实施方式包括单片式源阵列。在一个实施方式中,所述单片式源阵列包括:介电板,具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述单片式源阵列可以更包括:多个凸部,从所述介电板的所述第一表面延伸出去,其中所述多个凸部及所述介电板是单片式结构。

主权项:1.一种单片式源阵列,包括:介电板,具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面;多个凸部,从所述介电板的所述第一表面延伸出去,其中所述多个凸部及所述介电板是单片式结构,其中沿平行于所述第一表面的平面的每个凸部的横截面是圆形并且具有相同面积,并且其中每个凸部具有部分穿过所述凸部的中心延伸的孔;以及与所述多个凸部共形的导电层,其中所述导电层具有在所述导电层中的多个开口,并且其中在所述导电层中的所述多个开口的每个暴露所述多个凸部中的所述孔中的相应孔。

全文数据:

权利要求:

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