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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日：2023-10-30
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118295084A
主分类号：G02B6/42
分类号：G02B6/42;G02B6/12;G02B6/122;G02B6/132;G02B6/136;G02B6/30
优先权：["20230104 US 18/093,039"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明涉及具有精细对准机构的边缘耦合器，提供包括边缘耦合器的结构以及形成这种结构的方法。该结构包括半导体衬底上的介电层。该介电层包括空腔和限定该空腔的边界的边缘。该结构还包括边缘耦合器，该边缘耦合器包括波导芯。该波导芯包括延伸超过该介电层的该边缘并悬垂于该空腔上方的部分。该结构还包括定位在邻近该波导芯的该部分的加热器。该加热器与该波导芯的该部分间隔开一间隙。
主权项：1.一种结构，其特征在于，包括：半导体衬底；第一介电层，位于该半导体衬底上，该第一介电层包括第一空腔和限定该第一空腔的边界的边缘；边缘耦合器，包括波导芯，该波导芯包括延伸超过该第一介电层的该边缘并悬垂于该第一空腔上方的部分；以及第一加热器，定位在邻近该波导芯的该部分，该第一加热器与该波导芯的该部分间隔开第一间隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有精细对准机构的边缘耦合器
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