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一种碳化硅粉合成设备及合成方法 

申请/专利权人:中国矿业大学

申请日:2024-04-01

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118289763A

主分类号:C01B32/984

分类号:C01B32/984;C30B35/00;C30B29/36

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明公开一种碳化硅粉合成设备及合成方法,包括炉体、炉盖、晶种盒、传输装置、冷却装置、加热装置和炉体控制系统,炉体内部形成生长室,生长室内放置有坩埚,炉体侧壁和坩埚侧壁均同轴开设有测温孔,坩埚侧壁上的测温孔通过石英玻璃密封;炉盖装配在炉体上部,用于密封炉体;晶种盒装配在坩埚上部,晶种盒底部设有出料机构;传输装置与生长室相连,用于向坩埚内输送碳粉;冷却装置用于为炉体降温;加热装置包括感应线圈,感应线圈用于为坩埚加热;炉体控制系统用于控制传输装置、冷却装置和加热装置工作或停止工作。本发明能够控制碳化硅粉粒径的大小,提高碳化硅粉的堆积密度,从而使用该碳化硅粉能够生长出更厚的碳化硅晶体。

主权项:1.一种碳化硅粉合成设备,其特征在于,包括炉体,所述炉体内部形成生长室,所述生长室内放置有坩埚,所述炉体侧壁和坩埚侧壁均同轴开设有测温孔,所述坩埚侧壁上的测温孔通过石英玻璃密封;炉盖,所述炉盖装配在所述炉体上部,用于密封所述炉体;晶种盒,所述晶种盒装配在所述坩埚上部,所述晶种盒底部设有出料机构;传输装置,所述传输装置与所述生长室相连,用于向所述坩埚内输送碳粉;冷却装置,所述冷却装置用于为所述炉体降温;加热装置,所述加热装置为感应线圈,所述感应线圈用于为所述坩埚加热;炉体控制系统,所述炉体控制系统用于控制传输装置、冷却装置和加热装置工作或停止工作。

全文数据:

权利要求:

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